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该工艺接纳铜离子束帮助沉积装置,离子束能量为20keV,溅射参数为Ar+/2keV/150mA,沉积时间为1-1.5h。

平凡蔬菜泡沫箱的体积电阻率为1014-1015cm,不克不及到达抗静电的要求,而经铜子束帮助加强沉积后,其体积电阻率低落到104-105Ω.cm。

这是由于在绝缘性好的蔬菜泡沫箱外貌沉积有一层薄的导电金属膜,从而孕育发生导电通道。而蔬菜泡沫箱的外貌存在孔隙,导电金属薄膜不克

不及完全联通,固然还不克不及形成导体,但已经大大改进了蔬菜泡沫箱的抗静电性能。


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发布时间:2017-3-29 0:00:00
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